Двухосевой однокристальный АМР-преобразователь магнитного поля

Раздел находится в стадии актуализации

Магнитометры, основанные на анизотропном магниторезистивном (АМР) эффекте, лидируют по массогабаритным характеристикам, энергопотреблению и чувствительности. Перспективна идея двухосевого АМР-преобразователя магнитного поля в однокристальном исполнении. В работе для целей магнитометрической навигации рассмотрены разработанные и изготовленные двухосевые однокристальные анизотропные преобразователи магнитного поля на основе тонких пленок Ni80Fe20 со смешанной анизотропией. Описана технология их изготовления и представлены результаты исследования характеристик преобразователей. Достигнутая чувствительность по каждой оси составляет 1,58 мВ/(Э∙В), начальный разбаланс моста ΔU = 20 мВ.
Баранов Александр Александрович
Центральный научно-исследовательский институт химии и механики, Россия, 115487, г. Москва, ул. Нагатинская, 16а
Грабов Алексей Борисович
Центральный научно-исследовательский институт химии и механики, Россия, 115487, г. Москва, ул. Нагатинская, 16а
Обижаев Денис Юрьевич
Центральный научно-исследовательский институт химии и механики, Россия, 115487, г. Москва, ул. Нагатинская, 16а
Жукова Светлана Александровна
Центральный научно-исследовательский институт химии и механики, Россия, 115487, г. Москва, ул. Нагатинская, 16а

124498, г. Москва, г. Зеленоград, площадь Шокина, дом 1, МИЭТ, ауд. 7231

+7 (499) 734-62-05
magazine@miee.ru